项目名称: 中国科学院微电子研究所2026年7月政府采购意向-等离子刻蚀软件模型

招标公司: 中国科学院微电子研究所

采购标的物: 等离子刻蚀软件模型、计算机软件作品

项目地区：北京 北京

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等离子刻蚀软件模型

项目所在采购意向： 中国科学院微电子研究所2026年7月政府采购意向

采购单位： 中国科学院微电子研究所

采购项目名称： 等离子刻蚀软件模型

预算金额： 310.000000万元(人民币)

采购品目：

A08030114计算机软件作品

采购需求概况：

包含图形化用户界面和计算模块，对等离子体放电、中性粒子输运、中性流体流动、靶材粒子溅射、薄膜生长演化、刻蚀形貌演化等工艺进行数值模拟，用于磁控溅射工艺、PECVD工艺、原子层沉积（ALD）工艺、刻蚀工艺腔体内组分计算和基底刻蚀沉积过程计算。1.磁控溅射工艺包括：1) 计算磁铁磁场；2) 采用PIC-MCC算法计算气体放电，获得到达靶材壁面的离子流量能量角度参数；3) 离子轰击靶材、靶材溅射粒子计算；4) 靶材粒子空间输运计算；5）靶材粒子在基底沉积成膜，即薄膜生长过程计算。放电计算支持二维直角坐标系、圆柱坐标系模型和并行计算；支持直流和射频阴极电压设置和功率控制；支持腔体内低气压放电计算，气压范围：0.2Pa--1Pa。计算结果包括电子、离子、靶材粒子的密度、温度、速度、流量、电场强度、电位分布、薄膜形状等结果数据。2.PECVD工艺采用流体、流体-电子蒙特卡洛混合算法计算PECVD腔体内的放电组分演化和基底的薄膜生长；支持单电极、多电极、单频、双频及功率设置。软件内应包含常用气体的碰撞截面或者反应方程数据库，包括SiH4、Si2H6、CH4、C2H6、C2H4、C2H2、C3H6、C3H8、NH3等组分数据。支持化学、物理气相沉积即薄膜生长过程计算。放电计算支持二维直角坐标系、圆柱坐标系模型和并行计算。计算结果包括电子、离子、中性组分的密度、温度、速度、流量、电场强度、电位分布、薄膜形状等结果数据。3.ALD工艺采用直接蒙特卡洛算法模拟腔体内多组分气体分子的碰撞和输运过程；可以计算三维任意形状空间的稀薄气体输运，即计算克努森数为0.1--10的过渡流；可以设置ALD壁面吸附饱和值；支持导入非结构网格模型；可以输出中性各组分粒子的密度、温度、速度空间分布；可以统计各组分粒子到基底的流量分布；支持运动基底壁面（直线运动、旋转运动、自转+公转）。支持并行计算。4.刻蚀工艺对典型CCP、ICP工艺的放电组分演化和刻蚀过程进行计算；支持流体、流体-电子蒙特卡洛混合、粒子算法放电计算；支持单电极、多电极、单频、双频及功率设置。软件内应包含He、Ar、Ne、Kr、Xe、Cl2、CF4、SF6、CHF3、HBr、C2F6、C4F8、BCL3、NF3、SiCl4、HF、O2、N2、H2、F2、Cl2、N2O等组分气体的碰撞截面或反应方程数据库。支持各组分对基底的物理、化学刻蚀形貌演化过程计算。放电计算支持二维直角坐标系、圆柱坐标系模型和并行计算。计算结果包括电子、离子、中性组分的密度、温度、速度、流量、电场强度、电位分布、刻蚀形貌等结果数据。"

预计采购时间： 2026-07

备注：

本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。

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